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논리회로실험 A+결과보고서 9 RAM

저작시기 2015.09 | 등록일 2020.10.09 파일확장자 압축파일 (zip) | 5페이지 | 가격 1,000원

소개글

안녕하세요.
'반도체읽어주는남자'입니다.

- 본인 인증
- 학점 인증
- 전자공학과 졸업 인증
- 삼성전자 반도체공정 재직 인증

모든 회로를 직접 사진 찍었으며, 각 단계별 다이오드 변화사진도 첨부되어 있습니다.
직접 작성한 자료들 입니다.

목차

1) 실험 과정 및 결과
2) 고찰
3) 출처 및 참고문헌

본문내용

1. 실험 과정 및 결과
실험 1) 2-bit RAM
*실험은 사진 순서대로 진행되었다. (∴5번 6번 사진은 A, B에 1이 저장되어있음.)
*입력(Write)할 때는 출력단자(OE0, OE1)를 접지시켰다. (데이터를 입력만 함.)
*출력(read)할 때는 입력단자(IN0, IN1)를 접지시켰다. (데이터를 읽기만 함.)
*5번 사진은 A와 B에 입력한 데이터를 모두 출력하였다.(둘 다 읽음.)
*마지막 사진은 Power를 끊었다가 다시 연결한 후 데이터를 읽은 결과 사진이다.

⇒실험1은 2개의 R-S F/F을 NAND Gate들로 직접 만들고 각각의 R-S F/F에 데이터를 쓴 뒤 Pull up 저항을 이용하여 입력한 데이터를 확인하는 2bit RAM 동작을 확인해 보는 것이었다.
⇒실험 결과는 위 사진들과 같으며 이는 예비보고서의 예상결과와 같다.
⇒74HC03(NAND gate)은 입력중 하나라도 Low이면 Z(high impedance)값을 출력하기 때문에 Pull up 저항을 이용하여 정확한 출력을 확인할 수 있게 한다.

참고 자료

http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1087343&cid=200000000&categoryId=200003355,
http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1180951&cid=200000000&categoryId=200003355,
http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1169752&cid=200000000&categoryId=200003062
http://blog.naver.com/forioso/10164651762
https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%9C%98%EB%B0%9C%EC%84%B1_%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC
http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1087343&cid=40942&categoryId=32832

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논리회로실험 A+학점인증.pdf
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