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기계공학실험 #10 MEMS and NaNo-Process-실험보고서

저작시기 2014.09 |등록일 2018.10.22 워드파일MS 워드 (docx) | 3페이지 | 가격 1,000원

목차

1. There are two ways to etch down silicon oxide (wet etching, reactive ion etching). Figure out which process was used for each picture and explain the principles of them.
2. Following figure is silicon substrate etched by TMAH. Find the characteristics of anisotropic etching and explain the principle.
3. Following materials are used to synthesize silver nanoparticle. Explain the role and characteristic of each material.

본문내용

왼쪽이 wet etching이고 오른쪽은 reactive ion etching이다. Wet etching은 주로 isotropic etching이기 때문에 etching된 부분의 경계가 둥그스름한 모양을 보이는 반면 reactive ion etching은 anisotropic etching이어서 경계가 깔끔하게 나뉘는 모습을 보인다.
Wet etching은 용액을 활용해서 웨이퍼 표면을 깎아내는 것이다. 이 경우 용액 내부에 들어있는 화학물질이 웨이퍼 표면과 반응하면서 etching되는데 용액은 여러 방향으로 균일하게 퍼져나가려고 하는 성질이 있으므로 이 방식으로 etching된 표면은 둥그스름한 경계를 갖게 된다.
Reactive ion etching은 화학적으로 활성화된 플라즈마를 활용해 웨이퍼 표면을 깎아내는 것이다. 해당 플라즈마는 진공에 가까운 저압 상태에서 전자기장에 의해 만들어지는데 그 플라즈마 내부의 고에너지 이온들이 웨이퍼 표면에 부딪히면서 웨이퍼를 깎아낸다.

참고 자료

없음
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