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평가점수D

T-CAD를 통한 N-MOSFET 설계(반도체소자응용)

저작시기 2014.12 |등록일 2018.02.08 | 최종수정일 2018.02.09 파워포인트파일MS 파워포인트 (pptx) | 31페이지 | 가격 1,500원

소개글

반도체소자응용(단국대 전자전기공학부) 설계 과제인 N-MOS 설계자료입니다.
리포트 형식은 PPT이며 통상적으로 PPT를 통해 평가하고 있습니다.
설계과정과 결과를 캡처, 고찰한 내용을 담았습니다.
코딩내용은 간단하여 첫부분만 담았으며 변수들만 조금씩 수정하면 동일한 결과를 얻으실수 있습니다.
(과제평가결과: 만점(A), 해당학기 결과: A+)

목차

1.설계개요
2.설계개념
3.설계과정
4.설계결과
5.설계고찰
6.참고문헌

본문내용

1. 설계개요
-설계내용
1. Vds-Id, Vgs-Id 특성 분석
2. Reference model의 특성과 상호 비교하여 Vd=5V 일 때 Vth 최소화
3. Reference model의 특성과 상호 비교하여 Vg=5V 일 때 saturation(@Vds=5V) 영역에서 Id값을 최대화
-설계환경
①소프트웨어: matlab2012a
②운영체제: Windows8.1k 64bit
③프로세서: AMD A4-5000 APU with Radeon HD Graphics 1.5GHz

설계변수
1. Substrate Doping Concentration
2. Source/Drain Doping Profile
3. Material of Gate/Source/Drain
4. Geometry (Oxide Thickness, Gate Length)

설계목표
1. @Vg=5[V]으로 고정한 상태, Vds-Id 특성곡선에서 NMOS가 saturation영역에서 동작하면서 Id=10mA이상
2. @ Vd=5[V]으로 고정한 상태, Vgs-Id 특성곡선에서 Vtn<2.5V이하
상기의 두 조건을 모두 만족하도록 설계.

참고 자료

Donald Neaman, 『An introduction to semiconductor device』,맥그로힐
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