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전자회로실험 결과보고서4. MOS amplifier

저작시기 2017.03 |등록일 2017.05.01 한글파일한컴오피스 (hwp) | 3페이지 | 가격 500원

목차

1. 실험회로
2. 실험값
3. 결과분석
4. 실험을 통해 느낀 점 또는 통해 얻은 점

본문내용

4. 실험을 통해 느낀 점 또는 통해 얻은 점
*JFET (간단하게 큰 특징들을 정리를 하면 다음과 같다.)
- N형 채널에서 전자가 오른쪽에서 왼쪽으로 drift하며 전류는 그 반대 방향으로 흐른다.
- 전자가 흘러들어 오는 곳을 source, 전자가 흘러나가는 곳을 drain, P지역을 gate라 한다.
- Reverse bias는 drain에서 상대적으로 크고 source에 갈수로 0으로 감소한다.
따라서 공핍층은 source보다 drain쪽에서 channel을 더 많이 침범한다.
- VD가 증가하면 drain근처의 channel이 공핍층에 의하여 더욱 좁아져서 channel 의 저항이 증가한다. VD가 더욱 증가하면 두 공핍층이 맞닿게 되며, 이 현상 을 Pinch Off라 부른다. 또한, 그 때의 VDS를 VP라 부른다. 그 후에는 VD가 아무리 증가해도 ID전류가 더 이상 증가할 수 없게 되어 포화상태에 이른다.

참고 자료

없음
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