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반도체 소자공학 pierret 19장

저작시기 2012.12 |등록일 2017.04.03 파일확장자어도비 PDF (pdf) | 4페이지 | 가격 300원

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목차

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본문내용

(f) In the vicinity of the drain under operational condition, channel carriers, and carriers entering the drain depletion region from the substrate, periodically gain a sufficient amount of energy to surmount the Si-SiO2 surface barrier and enter the oxide.

참고 자료

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