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반도체 소자공학 pierret 17장

저작시기 2012.12 |등록일 2017.04.03 파일확장자어도비 PDF (pdf) | 24페이지 | 가격 300원

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목차

없음

본문내용

17.1
(a) Carriers enter the channel at the source contact and leave the channel(or are "drained") at the drain contact.
(b) Channel...inversion layer beneath the MOS gate which electrically connects the source and drain.

참고 자료

없음
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