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전자회로실험I - 실험 7. MOSFET 기본 특성 I 결과보고서

저작시기 2014.03 |등록일 2017.04.02 한글파일한컴오피스 (hwp) | 6페이지 | 가격 2,000원

목차

1. 실험 결과
2. 비고 및 고찰

본문내용

2. 비고 및 고찰
이번 실험은 MOSFET 기본 특성에 대해 알아보는 첫 번째 실험이었다.
- 실험순서 1)은 선형 커패시터에 대해 알아보는 실험이었다. 선형 커패시터의 상승 시간과 하강 시간을 측정하고, =2.2RC를 이용하여 시간정수 및 커패시턴스의 값을 구하는 실험이었다. 먼저 커패시터는 선형성을 갖고 있기 때문에 상승 시간과 하강 시간에 있어 같은 값이 나와야한다. 실험을 통해 =48.00μs, =48.00μs 같은 값이 나온다는 것을 확인할 수 있다. 그리고 이를 통해 시간정수 RC를 계산해보면, 이 나온다. 그리고 위의 식을 이용하여 C값을 구해보면 으로 실제 실험에 사용한 100pF보다 118pF이 더 높게 나타났다.

참고 자료

없음
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