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전자회로실험I - 실험 9. MOSFET I-V 특성 예비보고서

저작시기 2014.03 |등록일 2017.04.02 한글파일한컴오피스 (hwp) | 11페이지 | 가격 2,000원

목차

1. 실험 목적
2. 이론
3. 예비실험
4. 실험 I : 오실로스코프를 이용한 I-V 특성 측정
5. 실험 II : 전류 미러를 이용한 PMOSFET, NMOSFET의 특성 측정

본문내용

1. 실험 목적
본 실험의 목적은 MOSFET의 여러 동작 범위에서의 특성을 측정하고자 한다.
본 실험을 수행함으로써 실험자는 다음을 습득하게 된다.

● N-채널 MOSFET의 Id-VDS 특성을 이해한다.
● 트라이오드 영역과 포화영역을 이해한다.
● 드레인-소오스 사이의 채널 저항을 이용하려면 작은 드레인 전압이 필요하고 그 크기는 어느 정도인가에 대한 개념을 가진다,
● 이론적으로 얻는 드레인-소오스 채널저항과 실험치를 비교한다.
● 포화영역에서 드레인-소오스 채널이 전류 소오스처럼 보이게 하려면 작은 VDS와 comliance 전압이 필요함을 인식하게 된다.
● 포화영역에서 출력 저항이 드레인-소오스 채널을 비이상적인 전류 소오스로 인식하게 만든다.
● 실제 드레인-소오스의 트라이오드 영역에서의 ON저항 Ron은 포화영역에서의 소신호 출력저항 r0와 구별된다는 것을 인식한다.

참고 자료

없음
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