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전자회로실험I - 실험 7. MOSFET 기본 특성 I 예비보고서

저작시기 2014.03 |등록일 2017.04.02 한글파일한컴오피스 (hwp) | 6페이지 | 가격 2,000원

목차

1. 실험 목적
2. 예비실험
3. 실험 순서

본문내용

1. 실험 목적
역전압이 인가된 PN 접합과 MOSFET의 게이트 캐패시턴스를 측정하는 것을 목표로 한다. 이들 캐패시턴스의 용량은 매우 작아 (대략 pF 크기) 실험자는 breadboard와 스코프 프로브의 기생 캐패시턴스 효과를 경험하게 된다. 본 실험을 마치면 다음을 이해하게 된다.

∎ 역전압이 인가된 PN 접합은 캐패시턴스 특서을 나타낸다.
∎ MOSFET의 게이트에서 소자를 바라보던 캐패시턴스 성분으로 인식되고 이로부터 단위면적당 게이트 캐패시턴스와 게이트 산화막의 두께를 추출하게 된다.
∎ 시뮬레이션을 통해 게이트 산화막의 두께를 추출할 수 있다.

⌾ Breadboard 연결에 관한 유의사항
- 연결선은 가능한 짧게 하여 노이즈를 피하도록 한다. 외부 전압(DC)과 접지사이에 bypass capacitor (0.01uF~0.1uF)를 연결한다.
- 보드에 전원을 연결하기 전에 반드시 전압을 측정하여 원하는 전압인지를 확인하고, 그 이후 먼저 전원을 ‘OFF’ 시킨 후 보드에 연결한다. 또한 회로를 변경하기 위해서는 전원을 먼저 ‘OFF’시킨 후 회로를 변경한다.

참고 자료

없음
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