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전자회로실험I - 실험 8. MOSFET 기본 특성 II 예비보고서

저작시기 2014.03 |등록일 2017.04.02 한글파일한컴오피스 (hwp) | 6페이지 | 가격 2,000원

목차

1. 실험 목적
2. 예비실험
3. 실험 순서

본문내용

1. 실험 목적
본 실험의 목적은 MOSFET의 소오스-드레인 채널의 저항적 특성을 측정하는 것이다. 이 실험을 마친 후에는 다음을 이해할 수 있다.

∎ MOSFET의 채널은 소오스-드레인의 작은 전압 에 대해 작은 전류 가 흐르는 저항으로 이해된다.
∎ 게이트의 전압을 증가시켜 문턱전압 이상이 되면 채널의 “on"저항 이 감소한다.
∎ CD4007에 내장된 n-,p-채널 MOSFET의 문턱전압과 전하 이동도를 결정할 수 있다.
∎ 실험으로 얻은 데이터와 추출된 변수들을 통해 기대할 수 있는 이론값들을 서로 비교하게 된다.

2. 예비실험
1) 아래 <그림 8.1>과 같은 회로에서, DMM을 사용하여 그레인-소오스 저항 을 게이트-소오스의 전압 의 함수로 측정한다. 그 결과는 <표 8.1>과 같다.

참고 자료

없음
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