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전자회로실험I - 실험 8. MOSFET 기본 특성 II 결과보고서

저작시기 2014.03 |등록일 2017.04.02 한글파일한컴오피스 (hwp) | 4페이지 | 가격 2,000원

목차

1. 실험 결과
2. 비고 및 고찰

본문내용

2. 비고 및 고찰
이번 실험은 MOSFET 기본 특성에 대해 알아보는 두 번째 실험이었다.
- 실험순서 1)은 N-채널 MOSFET에 대해 알아보는 실험이었다. N-채널 MOSFET은 문턱 전압 이전의 전압에서는 값이 무한대의 값을 나타내고, 문턱 전압 이후의 값에서는 저항 값이 점점 줄어든다는 것을 확인할 수 있다. 시뮬레이션에서의 값들을 이용하여 CD4007소자의 문턱전압을 구해보면, , = 2.5V가 나오는 것을 확인할 수 있다.

참고 자료

없음
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