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Electrical Conductivity 실험 레포트

저작시기 2014.01 |등록일 2017.03.25 파일확장자어도비 PDF (pdf) | 가격 2,000원

목차

1. Introduction
2. Materials & Methods
3. Results
4. Discussion
5. Reference

본문내용

1. Introduction
이번 실험의 목적은 Four probe 방법을 이용하여 반도체와 금속의 비저항을 측정해 봄으로서 금속의 전기적 특성을 알아보는 것이다. 비저항은 물질 고유의 특성이기 때문에 비저항을 통해서 물질의 전기적 특성을 알 수 있다[1]. 또한 비저항이 온도에 따라 어떻게 변하는지 관찰함으로써 온도와 비저항 사이의 관계도 알아본다.
저항은 회로에서 전류의 흐름에 반대되는 양으로[2], 전류가 흐르는 물체의 기하학적 형태와 비 저항에 따라 달라진다. 비저항을 ρ, 저항이 생기는 물체의 길이(편의상 도선으로 간주한다)와 단 면적을 각각 L, A로 두면 저항 R은 다음과 같은 식으로 표현된다[1].

R=ρ(L/A) (식 1)

비저항은 물체 고유의 특성이지만, 온도에 따라 그 값이 변하게 된다. 그 이유는 온도가 물체 내부에 있는 전자들의 움직임에 영향을 주기 때문이다. 반도체의 경우 온도가 높아지면 원자로부 터 전자가 빠져 나와 물체 내의 전자의 농도가 높아져 전기 전도도가 증가하게 된다.

참고 자료

이시우(2010), 재료과학과 공학, 교보문고, pp. 111~112
권기영, 윤석범, 정영배 역(2013), 전기전자공학개론, Stan Gibilisco의 Teach Yourself Electricity and Electronics, 5th edition, 서울: 한빛아카데미, p41
이시우(2010), 재료과학과 공학, 교보문고, p. 114
강춘영 외 3인 역(2011), 핵심물리화학, Peter Atkins, Julio de Paula의 Elements of Physical Chemistry, 5th edition, 교보문고, p.448
강춘영 외 3인 역(2011), 핵심물리화학, Peter Atkins, Julio de Paula의 Elements of Physical Chemistry, 5th edition, 교보문고, pp. 449~451
이시우(2010), 재료과학과 공학, 교보문고, pp.117~124
L. V. Valdes, Resitivity Measurement on Germanium for Transistor
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