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전자회로실험 설계2 예비

저작시기 2016.12 |등록일 2017.03.13 파일확장자어도비 PDF (pdf) | 6페이지 | 가격 1,200원

목차

1. 설계 목적
2. 설계 이론
3. 설계 장비
4. 설계 예상
5. 참고 자료

본문내용

1. 설계 목적
- MOSFET의  ,  , 를 측정해보며, 그래프를 통해 MOSFET의 특성을 확인한다.
- 특정 이상의 Gain을 얻기 위한 회로를 고안한다.

2. 설계 이론
MOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor의 약자로서, 전기로 작동하는 스위치 또는 증폭기이다. 3단자 반도체 소자로서 증폭기, 디지털 논리 반전기 등의 회로 설계에 사용된다. 같은 3단자 반도체 소자인 BJT에 비해 매우 작게 만들 수 있고 제조공정이 간단하며 비교적 적은 전력으로 동 작이 가능하기에 집적회로 (IC ; Integrated Circuit) 설계에 가장 널리 사용되는 전자소자이다.

위 사진은 MOSFET의 가장 기본적인 구조이며 npn MOSFET을 나타낸 그림이다. 각각의 단자는 Source, Gate Drain으로 구성되어 있으며 Source는 S, Gate는 G, Drain은 D로 표기한다. 소자의 구조는 p형 기판 위에 제조된다. 여기에  Source와  Drain영역으로 표시된 고농도로 도핑된  영역들이 기 판위에 만들어져 있다.

참고 자료

전자회로실험 강의노트 설계2
Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley, 2008
http://macao.communications.museum/eng/exhibition/secondfloor/MoreInfo/2_10_4_HowFETWorks.html
http://xenon87.tistory.com/61
http://blog.naver.com/tnalsdl326/220488666147
https://en.wikipedia.org/wiki/Cascode
http://www.cpp.edu/~bolson/web_pages/how_to_spice.htm
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