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BJT의 특성 및 bias

저작시기 2016.05 |등록일 2017.02.12 한글파일한컴오피스 (hwp) | 12페이지 | 가격 2,000원

목차

1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 준비물
4. 기초 이론
5. 실험절차
6. 참고문헌

본문내용

○ n-형 반도체
5가 불순물로 도핑된 실리콘을 n-형 반도체라 부르며 여기서 n은 음(-)을 의미한다. n-형 반도체는 자유전자가 정공보다 많기 때문에 자유전자를 다수캐리어, 그리고 정공을 소수 캐리어라 한다. 전압이 인가되면 반도체 안의 자유전자들은 좌측으로, 그리고 정공들은 우측으로 이동한다. 정공 한 개가 결정의 우측단에 도달하면 외부회로의 자유전자 한 개가 반도체 안으로 들어가서 정공과 재결합한다.
○ p-형 반도체
3가 불순물로 도핑된 실리콘을 p-형 반도체라 하며, 여기서 p는 양(+)을 의미한다. 정공이 자유전자 보다 많기 때문에 정공이 다수캐리어, 그리고 자유전자가 소수 캐리어로 된다. 전압을 인가하면 자유전자는 좌측으로, 그리고 정공은 우측으로 이동한다.
○ Unbiased Diode
앞에서 설명한 것처럼 실리콘 결정안에 있는 5가 원자들은 각각 자유전자 한 개씩을 생성하기 때문에 n-형 반도체를 아래 그림의 우측과 같이 생각할 수 있다. 원안에 +로 표시한 기호는 5가 원자를 나타내며, -기호는 반도체에 기여하는 자유전자이다. 마찬가지로 p-형 반도체의 3가 원자와 정공을 아래 그림의 좌측과 같이 생각할 수 있다. 원안에 -표시한 기호는 3가 원자이며, +기호는 가전자 궤도의 정공이다. 각 반도체는 +와-수가 같기 때문에 전기적으로 중성이다. 이렇게 한쪽에는 p-형이며 다른 한쪽에는 n-형인 것을 Junction diode라고 한다.
○ 공핍층
n측에 있는 자유전자들은 상호간의 반발작용 때문에 사방으로 확산 하려고 하며, 일부는 접합 너머로 확산한다. 자유전자가 p영역으로 들어가면 소수캐리어가 된다. 이 소수 캐리어는 그 주위의 많은 정공 때문에 수명이 짧아진다. 자유전자가 p영역으로 들어가면 곧바로 정공 속으로 떨어진다. 이와같이 될 때 정공은 소멸하고 자유전자는 가전자로 된다. 전자 한 개가 접합 너머로 확산할 때마다 한 쌍의 이온이 생긴다. 즉 전자가 n측을 떠나면 남아있는 5가 원자는 음전하 한 개가 부족한 양이온으로 되고, 이동한 전자가 p측에서 정공안으로 떨어지면 전자를 포획한 3가 원자는 음이온으로 된다.

참고 자료

http://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%85%B8%ED%8A%BC%EC%9D%98_%EC%A0%95%EB%A6%AC
http://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%85%8C%EB%B8%8C%EB%82%9C%EC%9D%98_%EC%A0%95%EB%A6%AC
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