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전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3) 11주차결과

저작시기 2016.03 |등록일 2017.02.09 | 최종수정일 2017.03.22 워드파일MS 워드 (docx) | 24페이지 | 가격 2,000원

목차

Ⅰ. 실험목적
Ⅱ. 배경이론 및 지식
Ⅲ. 실험결과
Ⅳ. 토의 및 결론
Ⅴ. 참고문헌

본문내용

Typical Circuit configuration
BJT는 결국 두 pn 접합이 이루어져있다고 볼 수 있다. 따라서 여기서 걸린 전압에 따라 동작 명칭이 다른데 위와 같이 표현할 수 있다. 우리는 일반적으로 active 영역에서 동작하는 bjt를 사용하게 된다. 이를 살펴보면 E-B Junction의 경우 쉽게 carrier가 이동해야 하니까 forward bias가 걸려야 하는 걸 알 수 있고 C-B Junction의 경우는 MOSFET에서의 drain에서와 같이 높은 전압이 걸려야 carrier를 끌고 올 수 있으니 reverse bias가 걸려야 함을 알 수 있다.

■ 동작 원리
다음 그림은 Active mode 상태에서 pnp형태의 BJT 에너지 벤 다이어그램이다.
Emitter 쪽에서는 majority carrier가 홀이 base 쪽에서는 minority carrier가 홀임을 알 수 있다. 따라서 emitter에서 base 쪽으로는 diffusion에 의해 carrier가 이동하게 된다. 그 후 base에서 collector 쪽으로 이동할 때 drift를 통해 쉽게 이동하게 된다.

■ Si 내에 흐르는 전류를 이용한 BJT 전류 공식들
일반적으로 모델링해서 사용하는 경우 다음과 같은 공식을 이용해서 사용한다. 이 중에서도 B-E junction값은 보통 0.7V 모델을 이용하는데 이는 우리가 다이오드에서 본 것 같이 지수함수적인 특성에서 전류의 크기가 바뀌어도 전압이 0.7V 정도에서 크게 벗어나지 않기 때문에 사용했던 모델과 같은 이유로 사용한다. 다음과 같은 모델링에서도 많은 부분들은 근사화를 이용하여 사용하기 때문에 실제 값에서는 오차가 존재할 수 밖에 없다.

참고 자료

Semiconductor device fundamentals - pierret
microelectronic curciuts - sedra/smith 7ed
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