검색어 입력폼

전자전기컴퓨터설계 실험3(전전설3) 10주차 예비

저작시기 2016.03 |등록일 2017.02.09 | 최종수정일 2017.02.12 워드파일MS 워드 (docx) | 18페이지 | 가격 2,000원

목차

Ⅰ. 실험목적
Ⅱ. 배경이론 및 지식
Ⅲ. 실험장비 및 재료와 실험방법
Ⅳ. 사전보고서
Ⅴ. 참고문헌

본문내용

Ⅰ. 실험 목적 (Purpose of this Lab)
MOSFET을 이용한 CMOS 회로 중 Inverter 회로에 대해 알아본다.

Ⅱ. 배경 이론 및 지식(Essential Backgrounds for this Lab)
■ MOSFET이란?
MOSFET은 Metal-Oxide-semiconductor-field-effect-transistor의 약자로 Drain과 source 양단 에 전압이 주어졌을 때 Gate와 body 양단의 전압으로 current를 조절할 수 있는 소자를 말한다. 여기서 source는 carrier가 제공되는 곳을 의미하고 drain은 제공된 carrier들이 흘러 들어오는 곳을 의미하며 두 곳 중 전압이 높은 곳이 drain이 된다.

■ MOSFET 동작 원리
먼저, Gate 전압에 의해 channel이 생성되는 모습을 살펴보자. n-mos에서는 gate에 음의 전압이 가해졌을 때 majority carrier인 홀이 oxide 층과 semiconductor 사이 표면에 축적되고 양의 전압인 threshold voltage 전 까지는 홀이 모두 빠져 나와 이 때까지는 channel이 생성되지 않는다.

참고 자료

Semiconductor device fundamentals - pierret
microelectronic circuits - sedra/smith 7ed
다운로드 맨위로