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전전컴실험III 제09주 Lab08 MOSFET1 Pre

저작시기 2017.02 |등록일 2017.02.05 워드파일MS 워드 (docx) | 10페이지 | 가격 2,000원

목차

(0) Purpose of this Lab
(1) Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab
(2) Pre-lab & Simulation
(3) Conclusion
(4) Materials(Equipments, Devices) of this Lab
(5) Reference

본문내용

(0) Purpose of this Lab.
이번 실험에서는 MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect transistor)을 이용한 간단한 회로를 구현하고, 이들의 특성과 작동 방식에 대하여 공부할 것이다. 이전에 다루었던 소자들과는 달리 3개의 단자를 가지므로, 이들 각각의 단자에 인가하는 전압에 따라 출력에 어떤 변화가 생기는지를 중점적으로 확인할 것이다.

(1) Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab
설명의 편의를 위하여 모두 N channel MOSFET으로 가정한다. P channel MOSFET에 대한 설명은 마지막에 다시 하기로 한다.
<1> MOSFET의 구조
[그림 1]은 n 채널 MOSFET의 물리적 구조를 나타낸다. 이 트랜지스터는 p형 기판(substrate) 위에 제조되는데, 여기서 p형 기판은 소자의 지지대 역할을 하는 단결정 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)이다. 그림에 n+소스(source)와 n+드레인(drain) 영역으로 표시되고 고농도로 도핑된 두 개의 n 영역이 기판에 만들어져 있다.

참고 자료

회로 이론, J. david Irwin
마이크로 전자회로, Sedra / Smith
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