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전전컴실험III 제12주 Lab11 BJT1 Pre

저작시기 2017.02 |등록일 2017.02.05 워드파일MS 워드 (docx) | 11페이지 | 가격 2,000원

목차

(0) Purpose of this Lab
(1) Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab
(2) Pre-lab & Simulation
(3) Conclusion
(4) Materials(Equipments, Devices) of this Lab
(5) Reference

본문내용

(0) Purpose of this Lab.
BTJ 증폭기의 한 종류인 공통 이미터 증폭기를 설계하고, 회로에 다양한 값들을 인가함으로써 공통 이미터 증폭기의 동작에 대해 자세하게 알아본다.

(1) Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab
<1> BJT
Bipolar junction transistor(BJT)는 N형과 P형으로 도핑된 3개의 반도체 영역과 이들에 의해 형성되는 두 개의 PN 접합으로 구성된다. 각 도핑영역을 이미터(Emitter), 베이스(Base), 컬렉터(Collector)라고 부른다. 이들의 도핑 형태에 따라 NPN형과 PNP형으로 구분한다. 아래의 그림은 NPN 형과 PNP형 BJT를 나타낸다.

BJT의 도핑농도는 (이미터)>>(베이스)>(컬렉터)이다. 이미터는 전류 운반 캐리어를 제공하는 영역이며 컬렉터는 베이스 영역을 지나온 캐리어가 모이는 영역이다. 베이스는 이미터에서 주입된 캐리어가 컬렉터로 도달하기 위해 지나가는 영역이며, BJT의 전류 증폭률을 크게 만들기 위해 폭이 매우 얇게 만들어진다.

참고 자료

회로 이론, J. david Irwin
마이크로 전자회로, Sedra / Smith
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