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[기초회로실험] 29장. FET의 특성 예비레포트

저작시기 2015.11 |등록일 2016.01.16 한글파일한컴오피스 (hwp) | 8페이지 | 가격 700원

소개글

[기초회로실험] FET의 특성 예비레포트

목차

1. 실험목적
2. 관련이론
3. 실험준비과제
4. 실험순서
5. 참고문헌

본문내용

1, 실험목적
JFET의 구조에 대해서 이해한 후 드레인-소스전압 가 드레인 전류 에 미치는 영향과 게이트-소스 역바이어스 전압 가 드레인 전류 에 미치는 영향 및 JFET의 드레인 특성과 전달특성에 대해서 이해하고 실험을 통하여 확인한다.

2. 관련이론
트랜지스터와 함께 증폭, 발진 스위칭 등을 할 수 있는 반도체소자로 FET(field effect transistor : 전계효과 트랜지스터)가 있다. 일반적으로 FET는 트랜지스터보다 열잡음이 적고, 높은 입력임피던스와 출력임피던스를 갖는 전압 제어형 소자이다.
FET는 구조상 접합형 FET(junction FET : JFET)와 절연게이트형 FET(insulated gate FET : IGFET, metal-oxide-semiconductor FET : MOSFET)로 나뉜다. 보통 MOSFET는 JFET보다도 더 높은 입력임피던스를 갖고, 전력소모가 적고 만들기 쉽다는 점 때문에 논리회로, 플립플롭, 기억소자 등의 디지털 IC로 많이 쓰인다.

(a) JFET의 구조
FET는 하나의 pn접합을 포함한 3단자 디바이스로서 접합 FET(JFET)나 금속-산화물 반도체 FET(MOSFET)로 만들어진다. FET는 증폭용으로 제안된 초기의 고체디바이스의 하나였지만, 제작상의 제한 때문에 1960년 중반까지 상업용 디바이스의 개발이 지연되었다. LSI와 VLSI회로는 주로 MOSFET 트랜지스터 디바이스를 이용하여 만든다.
JFET의 구조는 그림 29-1과 같다. 그림 29-1(a)의 n채널 JFET는 한 쌍의 p형영역의 확산된 n형 반도체로 구성되어 있다. 그림 29-1(b)의 p채널 JFET는 한 쌍의 n형 확산영역을 갖는 p형 반도체로 구성된다. 그림 29-1은 jfet의 각 형태에 대한 디바이스 기호표시이다. 그림 29-1(a)의 n채널의 경우 게이트의 화살표는 게이트가 p형 재료로 되어 있음을 나타낸다. 한편, 그림 29-1(b)의 p채널의 경우 게이트의 화살표는 n형 재료로 되어 있음을 나타낸다.

참고 자료

전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험ㅣ강경인 외ㅣ문은당
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