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06-전자회로실험-예비보고서

저작시기 2015.09 |등록일 2015.12.24 | 최종수정일 2015.12.26 한글파일한컴오피스 (hwp) | 7페이지 | 가격 2,000원

목차

1. 실험 목표
2. 예비 이론
3. 예비 보고 사항
4. 실험 과정
5. 참조 문헌

본문내용

1. 실험 목표
MOSFET 소자를 이용한 공통 소스 증폭기의 동작 원리를 이해하고 설계할 수 있다.
MOSFET 소자를 이용한 공통 소스 증폭기의 입력 - 출력 특성을 알고, 전압 이득을 구할 수 있다.

2. 예비 이론
(1) 공통 소스 증폭기
① 동작 원리 : 공통 소스 증폭기는 게이트 - 소스 간의 전압을 입력으로 하고, 드레인 - 소스 전압을 출력으로 한다. 아래의 [그림 1]에 회로를 구성하였으며, 소신호 분석을 할 경우 게이트 - 소스 사이의 소신호 입력 저항에 비례하는 전류가 드레인에 흐르게 되며, 출력쪽의 저항 에 의해 전압으로 바뀌면서 전압을 증폭하게 된다.

<중 략>

(4) 실험회로 1에 제시된 공통 소오스 증폭기의 전압 이득, 입력 임피던스 및 출력 임피던스를 이론적으로 계산하고, Pspice 모의실험 결과와 비교하시오.
- 실험 회로 1에서 입력 임피던스는 이론적으로 게이트 전류가 0A이므로 무한대이고, 출력 임피던스 는, 이다. 전압 이득을 구하면, 으로 나타낼 수 있다. 여기서 필요한 , 의 값은 소자값으로 주어지지 않아 구체적으로 계산할 수 없으며, 계산할 경우 Pspice의 결과와 부합하도록 나올 것이다.

<중 략>

(1) 실험 회로 1에서 값을 12V, 값을 0V, 값을 4V로 두고, 저항 값이 2kΩ인 경우 의 DC 값이 6V가 되도록 하는 값을 결정하시오. 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(, ) 및 전류()를 구하고, [표 9-1]에 기록하시오. 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오.
(2) 값을 0V, 전압을 0V, 12V, 3V ~ 9V는 500mV 간격으로 변화시키면서 의 DC 전압을 측정하여 [표 9-2]에 기록하고, 입력-출력( - ) 전달 특성 곡선을 [그림 9-12]에 그리시오.
(3) 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스컨덕턴스 값, 출력 저항 를 구하여 [표 9-3]에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험 회로 1의 공통 소오스 증폭기의 이론적인 전압 이득을 구하시오.

참고 자료

이강윤 지음 [단계별로 배우는 전자 회로 실험] 제 1판 한빛 미디어 p.177 ~ 190 (공통 소오스 증폭기)
Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith 지음 [Microelectronic Circuits] 제 6판 한티 미디어 p.378 ~ 498 (MOS 전계 효과 트랜지스터 (MOSFET))
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