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박막별 wet etching - chemicals

저작시기 2010.04 |등록일 2015.12.07 한글파일한컴오피스 (hwp) | 3페이지 | 가격 2,000원

목차

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본문내용

* BOE(Buffered oxide etch) 사용,
* 조성 ; DIW + Hydrofluoric Acid (HF) + Ammonium Flouride (NH3F)
* Ammonium Flouride (NH3F) +HF 6:1 혼합액

- NH4F:HF가 6:1 또는 7:1인 용액을 쓰는데 22~30℃에서 800~1000Å/min의 식각율
(열산화막)

- CVD oxide : 식각율이 25% 정도 빠름
* 반응 ; SiO2 + 4HF ==> SiF4 + 2H2O
* Buffering reaction: NH4F <==> NH3 + HF.

참고 자료

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