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포토리소그래피 (Photolithography) 기술

저작시기 2013.05 |등록일 2015.12.07 워드파일MS 워드 (doc) | 2페이지 | 가격 500원

목차

1. 포토리소그래피 (Photolithography) 기술
2. Photoresist

본문내용

포토리소그래피 (Photolithography) 기술
포토리소그래피 공정은 어떤 특정한 화학약품(Photo resist)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜서 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 얻고자 하는 pattern의 mask를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 mask의 pattern과 동일한 pattern을 형성시키는 공정이다. 빛에 의한 효율적인 화상형성기술을 이용하는 광미세가공기술(photolithography)은 지난 20세기 말경에 크게 발전하여 대용량 반도체(VLSI)의 미세회로가공에 적용되는 중요한 핵심기술로 발전하였다.

<중 략>

Photoresist
포토레지스트란, PR(Photoresist)이라고 불리우며, 빛이나 방사열 등의 여러 형태의 에너지에 노출 되었을 때 내부 구조가 바뀌는 특성을 가지는 혼합물을 말한다. 리소그래피 공정에서 사용되는 감광성 수지이며 반도체 디바이스의 미세화를 가능하게 해주는 재료이다.

참고 자료

없음
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