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GaN의 현재 개발 동향

저작시기 2015.02 | 등록일 2015.03.22 파워포인트파일 MS 파워포인트 (pptx) | 9페이지 | 가격 1,000원

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본문내용

GaN는 일반적으로 C-면을 성장면으로 성장되는데 이때 상부면과 하부 면은 항상 Ga원자 혹은 N원자만을 각각 가진다. 즉,Ga-face 혹은 N-face surface를 가지며 Ga과 N이 따로 존재하게 되어 박막이 극성을 띄게 되고 Ga과 N의 전기친화도 차이에 의해 성장면은 항상 자발 분극 및 압전분극 현상이 야기되며 에너지 밴드를 휘게 만든다.
그로인해 양자 우물에서 전하의 분포를 분리시켜 재결합 효율을 낮추는 요인이 된다. 따라서 C면구조의 본질적인 효율의 한계 때문에 고출력 발광 소자로 사용하기에 어려운점이 있다.
그러나 M축으로 성장시 박막에 두원자가 같이 존재하게 되어 원천적으로 극성이 없으며 내부 전계효과가 발생하지 않는다. 그러므로 효율이 더 높다는 장점이 있어 비/반극성 GaN박막을 이용한 LED개발이 활발히 이루어 지고있다.

참고 자료

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