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MRAM보고서

저작시기 2013.07 |등록일 2014.12.01 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 7페이지 | 가격 500원

목차

1. MRAM 개요
2. MRAM 의 원리
3. MRAM 의 이용분야
4. MRAM 기술 현황 및 시장
5. 종합의견

(유첨1) STT-MRAM

본문내용

Ⅰ. MRAM 개요
필요성
정보제품들의 초소형화, 고속화, 지능화로인한 Gb급 초고집적, ns급 초고속 비휘발성 메모리의 필요성 대두
범용 메모리인 DRAM의 집적도 한계에 따른 차세대 메모리필요성 강조

특징
정보접속 시간 DRAM보다 10배 빠른 30ns
사용전력은 DRAM 1/100수준
저전력, 비휘발성(전원상실시에도 기록유지), 반영구적 수명(20년정도)
리부팅 및 데이터저장 안정성면에서 기존 메모리보다 탁월한 특징을 가진다

문제점
문제점은 자계를 이용하여 하나의 셀을 동작하기 때문에 집적도가 증가할수록 셀간의 간섭이 심해진다
- 문제해결은 가능하나 공정이 복잡해져서 양산성에 장애가 있다
- TMR Junction에 사용되는 터널링 산화막의 두께를 웨이퍼 전체에서 0.1nm이하의 균일성을 확보함

향후 개선사항
소형화
- 대용량화, 고속엑세스라는 조건은 만족하지만 보다 큰 용량화를 위해 Sense Amplifier의 소형화 필요
- TMR소자의 신호증대와 써넣을때의 전류저감이 더욱 필요

참고 자료

없음
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