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전자회로실험 3학년 15. 복합구조 예비레포트

저작시기 2014.07 |등록일 2014.11.26 한글파일한컴오피스 (hwp) | 3페이지 | 가격 1,000원

목차

1. 실험에 관련된 이론
2. 실험회로 및 시뮬레이션 결과
3. 실험방법 및 유의사항
4. 참고문헌

본문내용

실험에 관련된 이론

<BJT>
-Bipolar Junction Transistor의 줄임말로써, 두개의 pn접합으로 이루어진 트랜지스터라는 의미를 갖고있다. NPN과 PNP 두가지 형태가 있으며 ,가운데 단자를 Base, 양 끝은 Emitter, Collector라 한다.

-BJT 증폭

①Emitter-Base의 pn접합면에, Emitter보다 Base쪽에 더 높은 전압을 가하게 되면 Forward Bias가 걸리게 된다.
②순방향 바이어스로 인해, Base의 hole 일부는 Emitter쪽으로 이동하고, Emitter쪽의 대부분의 전자들은 Base쪽으로 이동하게 된다.
③Base단이 굉장히 좁기 때문에, Emitter에서 Base쪽으로 이동하는 전자들은 베이스로 작은 양만 빠지고 곧바로 Collector-Base의 pn접합면 가까이에 도달하게 된다.

참고 자료

ko.wikipedia.org
http://blog.naver.com/denful?Redirect=Log&logNo=90117933854
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