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5주차 (Measurement of a-IGZO TFT, Poly-si TFT, a-si TFT)

저작시기 2014.07 |등록일 2014.11.20 워드파일MS 워드 (docx) | 15페이지 | 가격 2,000원

목차

1. 실험목표
2. 실험장비
3. 실험 방법 및 순서
4. 실험 결과
5. 토의 및 분석
6. Reference

본문내용

실험 목표
현재 가장 많이 사용되고 있는 TFT인, a- IGZO TFT, Poly-si TFT, a-si TFT의 UV-VIS spectrometer를 sample로 이용하여 투과도를 관찰한다. 추가적으로, semiconductor parameter analyzer를 이용하여, Length/Width에 따른 Transfer curve, output curve, sync curve를 측정한다. 두 결과를 종합하여 mobility, transconductance, conductance, resistance, threshold voltage, transmittance 등의 값을 알아낸다.

실험 장비
a- IGZO TFT
a-si TFT
Poly-si TFT
UV-Vis Spectrometer
Probe station
Parameter analyze
실험 방법 및 순서
1. 투과도 관찰(Optical bandgap)
① 관찰하고자 하는 TFT Sample과 투과도 관찰을 위한 UV-VIS Spectrometer를 준비한다.
a- IGZO TFT
a-si TFT
Poly-si TFT

② Bare glass를 이용하여 blank를 잡은 후에, 각각의 TFT에 대해 투과도를 측정한다.
③ Sigma plot을 이용해, 그래프를 통한 optical band gap을 구한다.

2. TFT 특성 관찰(mobility, S-factor, conductance, resistance, conductance, transconductance, Vth 등)
① 관찰하고자 하는 TFT Sample과 특성관찰을 위한, Probe station과 parameter analyzer를 준비한다.
a- IGZO TFT / a-si TFT / Poly-si TFT sample

② TFT Sample은 Length와 Width에 따라 관찰하기 위해, 따로 Pad가 부착되어 있는 것으로 준비한다.
③ 준비한 sample을 Probe station내 현미경을 이용하여, 원하는 부위에 contact한다.
④ Parameter analyzer를 이용하여, 원하는 Vg 값의 범위와, Vd의 값을 결정한다. 그 범위는 아래의 표를 참조한다.

참고 자료

고체전자공학 / Ben.G.Streetman
정보디스플레이개론 / 장진
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