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E-MOSFETs 예비+결과레포트

저작시기 2014.03 |등록일 2014.10.24 한글파일한글 (hwp) | 7페이지 | 가격 1,000원

목차

1. 실험목적
2. 관련이론
3. 실험준비
4. 사용기기 및 부품
5. 실험과정
6. 토의

본문내용

<실험목적>
● Demonstrate the effects of on MOSFET drain current() ☞ MOSFET의 드레인 전류()에 의 효과를 보인다.
● Plot the transconductance curve for an E-MOSFET. ☞ E-MOSFET에 대한 트랜스 컨덕컨스의 곡선을 구성한다.
● Describe the effect that a change in load has on the voltage gain of a MOSFET amplifier. ☞ 부하의 변화가 MOSFET 증폭기의 전압 이득에 미치는 영향을 보인다.

<관련이론>
There are two principal types of MOSFETS: depletion-type MOSFETs (D-MOSFET) and enhancement-type. ☞ MOSFETs (E-MOSFET). MOSFETS는 두 가지 주요 유형이 있다. 공핍형 MOSFETs (D-MOSFETs), 확장형 MOSFEs (E-MOSFETs)이다.
Due to differences in physical construction, the D-MOSFET can operate in both the depletion () and enhancement () modes. ☞ 물리적 구조 차이 때문에, D-MOSFETs은 공핍() 및 확장형()에서 모두 동작할 수 있다.
The E-MOSFET is limited to enhancement-mode operation only. ☞ E-MOSFET은 확장형에서만 동작한다.
In this exercise, you will concentrate on the BS170 E-MOSFET. ☞ 이 실험에서. BS170 E-MOSFET에 집중한다.
In the first part of this exercise, you will plot the transconductance curve for the device. ☞ 첫 번째 실험에서, 장치에 대한 트랜스 컨덕턴스 곡선을 플롯한다.

참고 자료

없음
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