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[물리전자공학] Slilicon light source에 대한 고찰

저작시기 2013.10 |등록일 2014.10.19 | 최종수정일 2014.10.19 한글파일한글 (hwp) | 10페이지 | 가격 2,500원

소개글

여러논문을 reference하여 silicon을 이용해 light source를 제작하는 기술의 고찰

목차

1. Tiltle

2. Student

3. Survey result
1) VACUUM-SEALED SILICON MICROMACHINED INCANDESCENT LIGHT SOURCE
2) Er/Yb DOPED POROUS SILICON – A NOVEL WHITE LIGHT SOURCE
3) AN EFFICIENT ROOM-TEMPERATURE SILICON-BASED LIGHT-EMITTING DIODE
4) ELECTROLUMINESCENCE PROPERTIES OF LIGHT EMITTING DEVICES BASED ON SILICON NANOCRYSTALS

4, References

본문내용

3. Survey Results1) VACUUM-SEALED SILICON MICROMACHINED INCANDESCENT LIGHT SOURCE 백열성의 Silicon Light Source 는 nitride Silicon 으로 코팅하여 진공 처리된 구멍으로 둘러싸 heavily doped p type 의 polysilicon으로 이루어진다. 빛을 발산하는 polysilicon 원소에 ‘polysilicon filament‘ 라는 용어를 사용하여 마치 전구의 필라멘트와 같은 기능을 한다는 느낌이 든다. Silicon 이 진공 상태에 있는 것처럼 되게 질화물로 Silicon을 밀봉한다. Silicon을 밀봉함으로써 Silicon 원소가 산화 과정이나 주위 환경으로부터의 오염을 방지할 수 있다. 그러면 filament 는 주위 환경으로부터 완전히 고립된 상태이고, silicon 의 표면은 매끄럽고 균열의 흔적을 찾을 수 없다. 위의 빛을 발산하는 광원의 역할을 하는 구조를 Microlamp 라 부르겠다. Microlamp 제작 과정은 총 6개의 단계로 나뉜다. 시작은 <100> 방향의 Silicon wafer 에 silicon 질화물이 0.5um 정도 퇴적되는 것이다. 좌측의 Silicon unit cell을 <100> 방향으로 바라보면 우측의 평면과 같은 패턴을 가진다.

<중 략>

1. 이번 연구 논문에서는 직접적인 선형 광루미네선스와 up-conversion 방출로 인하여, Er / Yb doped PS 이 white light source 로서의 잠재력을 가지고 있음을 보였다. Porous Silicon(PS) 은 강한 광루미네선스 특성을 보이며 Silicon을 기반으로 한 광전자 부분에서 많은 잠재력을 가지고 있다. 광루미네선스는 물질이 빛에 의해 자극받아 스스로 빛을 내는 ’발광‘ 현상을 말한다. 최근에 이 Porous Silicon의 높은 면/부피 비율을 보았을 때, dopant 과정의 주최자가 될 수 있지 않을까 하는 가능성이 제기되었다.

참고 자료

VACUUM-SEALED SILICON MICROMACHINED INCANDESCENT LIGHT SOURCE, C. H. Mastrangelo and R. S. Muller, Berkeley sensor and Actuator Center, An NSF/Industry/ University Cooperative Research Center, Department of Electrical Engineering and Computer Science and the Electronics Research Laboratory, University of California, Berkeley CA 94720
ER / YB DOPED POROUS SILICON - A NOVEL WHITE LIGHT SOURCE, Li Luo, Xiao Xia Zhang, King Fai Li, Kok Wai Cheah, Jian Xin Shi, Wai Kwok Wong and Meng Lian Gong
AN EFFICIENT ROOM-TEMPERATURE SILICON-BASED LIGHT-EMITTING DIODE, Wai Lek Ng, M. A. Lourenco, R. M. Gwilliam, K. P. Homewood(School of Electronic Engineering, Information Technology & Mathematics), S. Ledain, G. Shao(School of Mechanical and Materials Engineering, University of Surrey, Guildford, Surrey, GU2 7XH, UK)
ELECTRO-LUMINESCENCE PROPERTIES OF LIGHT EMITTING DEVICES BASED ON SILICON NANOCRYSTALS, A. Irrera, D. Pacifici, M. Miritello, G. Franzo, F. Priolo
(INFM and Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita di Catania, Corso Italia 57, I-95129 Cantania, Italy), F. Iacona(CNR-IMM, Sezione di Catania, Stradale Primosole 50, I-95121 Catania, Italy), D. Sanfilippo, G. Di Stefano, P. G. Fallica(STMicroelectronics, Stradale Primosole 50, I-95121 Catania, Italy)
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