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전자회로실험1 결과보고서 실험 11. MOSFET CS, CG, CD증폭기

저작시기 2014.06 |등록일 2014.09.30 한글파일한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,000원

목차

1. CS Amplifier
2. CG (Common-Gate) Amplifier
3. CD (Common-Drain) Amplifier or Source Follower
4. 고찰

본문내용

(8) 의 RD값을 5㏀로 변화시켜 주어 위의 실험 5)~7)을 반복하시오.
실험을 위한 회로이다. 다른 실험조 인원이 커플링 캐패시터를 0.1uF으로 하면 낮은 주파수에서도 결과를 볼 수 있다는 것을 질문해서 실험을 수행해 보았고 3.5MHz같이 높은 주파수를 쓰지 않아도 결과를 볼 수 있었다.

입력을 100mV 100kHz를 입력했다.

위상이 같아야 되는데 입력 주파수가 완벽히 미드밴드가 아니라서 약간 위상차이가 난다. 이득은 1.65인데 계산대로라면 실험 1의 이득과 같고 위상은 반대여야 한다. 실험 1의 1.95보다 꽤 작지만 그래도 이득과 파형이 나오기는 했다. 이론적인 이득은 2.3이다.

<중 략>

고찰
이번 실험은 Common-Source(CS), Common-Gate(CG), 그리고 Commen-Drain(CD)의 세가지 MOSFET을 이용한 증폭기 회로에 대한 실험이었다. 중요한 것은 증폭기가 잘 동작하기 위한 바이어스 포인트를 잡아 게이트 DC전압으로 입력하는 것과 게이트 전압과 소자 파라미터 kn에 의해 구해지는 이득을 계산하고 실제 실험에서도 같은 이득이 나오는지 보는 것이었다.
바이어스 포인트를 지정하는데 있어서 이미 저번실험(10번)에서 실제 소자의 문턱전압과 kn값이 시뮬레이션에서 사용했던 값과 다르다는 것을 실험했었다. 결국 적절한 바이어스 포인트 2.244V를 잡고 문턱전압을 1.7V로 생각하고 계산하였다. kn은 저번실험에서 구한대로 1.3m로 생각했다.

참고 자료

없음
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