검색어 입력폼

전자회로실험 예비2 bjt

저작시기 2013.12 |등록일 2014.08.15 한글파일한컴오피스 (hwp) | 20페이지 | 가격 1,000원

목차

1. 실험 개요
2. 배경 이론
3. 실험 회로
4. 실험 기자재 및 부품
5. 예비보고사항
6. 예비 퀴즈 문제

본문내용

4.1 실험 개요
바이폴라 접합 트랜지스터는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로 되어 있으며, 3개의 단자를 이미터, 베이스, 컬렉터라고 한다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 지니고 있으므로, 증폭기로 사용될 숫 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통하여 확인한다.

4.2 배경 이론
BJT는 p형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. 그림 4-1(a)는 npn형, 그림 4-1(b)는 pnp형 bjt의 구조이다. npn형 bjt의 이미터 영역은 n형, 베이스 영역은 p형, 컬렉터 영역은 n형으로 구성되어 있으며, pnp형 bjt의 이미터 영역은 p형, 베이스 영역은 n형, 컬렉터 영역은 p형으로 구성되어 있다.

그림 4-2(a)는 npn형, 그림 4-2(b)는 pnp형 bjt의 기호를 보여 주고 있다.

npn형 bjt는 베이스와 이미터, 베이스와 컬렉터 사이에 PN 접합이 존재하므로, PN 접합의 동작 영역에 따라서 BJT의 동작 영역이 결정된다. 표 4-1은 npn형 bjt의 동작 영역을 정리한 것이다. EBJ는 베이스와 이미터 사이의 PN 접합, CBJ는 컬렉터와 베이스 사이의 PN 접합을 나타낸다.

표 4-1과 같이 능동 영역은 EBJ가 순방향 바이어스, CBJ가 역방향 바이어스 영역일 경우이고, 그림 4-3과 전류의 흐름이 같다. 그림 4-4는 BJT 내부의 캐리어 농도 분포를 보여 주고 있다.

참고 자료

없음
다운로드 맨위로