검색어 입력폼

전자회로실험 결과4 MOSFET 기본 특성

저작시기 2013.12 |등록일 2014.08.15 한글파일한컴오피스 (hwp) | 7페이지 | 가격 1,000원

본문내용

2. 고찰 사항
(1) NMOS의 문턱 전압이 양수이고, PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하고, 이를 바탕으로 일반적으로 NMOS를 낮은 전압 쪽에, PMOS를 높은 전압 쪽에 사용하는 이유를 설명하시오.
NMOS와 PMOS의 물리적 구조를 확인하면 문턱 전압의 부호를 이해할 수 있다. 첫 번째로 NMOS의 경우 p판에 n과 n이 부분적으로 도핑이 되어 있고 이 두 개를 이어야 전류가 흐른다. 따라서 G에 양전압을 줘야 n과 n사이에 n채널이 형성되어서 D에서 S까지 전류가 흐를 수 있다. 반면에 PMOS의 경우 n판에 p와 p가 부분적으로 도핑이 되어 있기 때문에 음전압을 걸어야 p와 p사이에 p채널이 형성되어서 S에서 D까지 전류가 흐를 수 있다.
소스 단자는 기판 단자 B에 접속된다. 보통 개별의 회로의 경우에 기판은 회로 동작에 어떠한 영향도 하지 않으므로 그 존재는 완전히 무시될 수 있다. 하지만 직접회로에서, 많은 MOS들이 공통이 된다. 모든 기판과 채널 사이의 접합들을 차단 상태로 유지하기 위하여, 기판은 NMOS 회로에서는 전압이 가장 낮은, PMOS에서는 전압이 가장 높은 전원 공급기에 접속이 된다.

참고 자료

전자회로 실험 기초부터심화까지 (이강윤 저)
마이크로전자회로 (SEDRA / SMITH)
다운로드 맨위로