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반도체 웨이퍼 전기적 특성 실험 보고서

저작시기 2013.08 |등록일 2014.07.21 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 23페이지 | 가격 800원

목차

1. 설계 목적
2. 설계 이론
3. 설계 방법
4. 설계 결과
5. 결론 및 고찰

본문내용

설계 목적
•n형 반도체 Si웨이퍼(단결정) 에 대한 온도조건(500℃, 750℃, 1000℃) 에 따른 열처리 및 어닐링 후의 전자기적 특성을 비교 분석 해 본다.

설계 이론
반도체 결정구조
•다이몬드 구조 (zinc-blende)
•반도체 원소 : (Si, Ge) (결정질)
•배위수 : 4
•네개의 사면체
•FCC 구조

반도체의 종류
•진성 반도체(Intrinsic Semiconductor) :
불순물이 첨가되지 않은 순수한 반도체
•외인성 반도체(Extrinsic Semiconductor)
: 불순물이 첨가 된 반도체
N-type ( 불순물 : 5가 원소 P, As, Sb)
P-type (불순물 : 3가 원소 Al, B, Ga)

<중 략>

Hall Effect
•전하의 입자의 방향에 수직하게 자기장이 가해질 때 자기장과 입자의 진행 방향에 수직하게 작용하는 힘이 생성되며 이 힘이 움직이는 전하 입자에 가해지는 현상을 말한다.


참고 자료

재료 과학 교본.
실리콘 집적회로 공정기술의 기초 ( 저자: 이 종 덕 )
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