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전자회로 정류회로 isspice

저작시기 2014.03 |등록일 2014.05.27 | 최종수정일 2014.12.01 한글파일한컴오피스 (hwp) | 11페이지 | 가격 3,000원

목차

1. 제목
2. 목적
3. 이론 배경
4. 실험내용
5. 결론 및 고찰

본문내용

1. 제목 : 정류회로

2. 목적 : 1) 정류회로의 동작을 이해한다.
2) 반파정류, 전파정류, 브리지정류회로, 배전압정류회로의 맥동률, 정류효율, 전압변동률 등을 시뮬레이션한다.

3. 이론 배경 : pn 접합
전자장치의 기본이 되는 성분이다. 순수한 물질에 불순물을 주입하여 만든 p형 물질과 n형 물질이 결합하여 만들어 진다. n물질에서 양이온과 p물질에서 음이온이 붙어 쌓여서 전계를 발생시킨다. 이 전계는 접합양쪽에 전류를 흐르지 못하게 한다. 이 전계를 전위장벽이라고 한다. 전위장벽은 양전압을 p형에 가하면 장벽 높이가 낮아져 전류가 흐른다. 반대로 전압을 흘려주면 장벽이 높아져 전류는 흐르지 않는 상태가 된다

<중 략>

브릿지 모듈에 대한 내생각이 잘못되고 브릿지 모듈자체가 심볼인것 같아서 제대로 심플하게 회로를 짜서 다시 시뮬레이션 해보았다. 다시 시뮬레이션 해보니 1번 전파정류회로의 파형과 비슷하게 나왔다. 브릿지 모듈의 입출력 연결이 잘못 되어 있었던것 같다. 시뮬레이션 툴상에서의 모양보다는 브릿지모듈 자체의 성능으로만 판단해야겠다는 생각이 들었다. 시뮬레이션 상으로 전파정류회로의 그래프를 얻을수 있었다.

참고 자료

없음
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