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OLED 소자 이론 및 공정방법 과 분석

저작시기 2013.02 |등록일 2014.05.26 | 최종수정일 2014.07.15 파일확장자어도비 PDF (pdf) | 33페이지 | 가격 3,000원

소개글

본 자료는 OLED를 처음 시작하거나, 현재 반도체 디스플레이 종사자 또는 학생에게 OLED 공정에 대한 전반적인 개념을 설명하기 위함입니다.
기초이론 부터 구조, 재료 또는 패널의 측정 방법까지 처음부터 끝까지 전반적인 내용을 담았습니다.
보기 쉽게 한글로 설명하며, 각 페이지 별로 Keyword를 작성하여 페이지에서 설명하고자 하는 부분을 나타내었습니다.

목차

1. 기초이론
2. 원리 및 구조
3. 특성 및 평가

본문내용

1. 기초이론
분자궤도이론 : 공유결합이란, 결합과 반결합 분자궤도, 보강간섭과 상쇄간섭
H2의 반결합 분자궤도
파동의 상쇄간섭으로 인해 파동이 없는 상태가 된다.
H2의 결합 분자궤도
파동의 보강간섭으로 인해 전자가 중첩되어 두배의 파동을 보인다

<중 략>

고순도(Life time, Luminescence) 낮은 분자량(진공증착) 비정질(줄열에 의한 결정화) 열 안정성(높은 Tg) 표면 특성(접착강도) 적절한 HOMO & LUMO 레벨(주입 장벽) 전하 이동도(전류밀도)
: LiF/Al, CsF/Al, BaF2/Al, LiF/Ca/Al
Host : Dopant system 혼합된 단일층(용액공정) 호스트에서 도펀트로의 에너지 전이
형광과 인광 재료
발광층 색 조절 정공 이동( 높은 정공 이동도) 전자의 이동이 안되도록 장벽역할
Anode와 HTL의 중간적인 일함수 Anode로부터 효율적인 정공주입 ITO or IZO 산화물 투명 전극 낮은 표면 거칠기 높은 일함수 : UV/Ozone, Plasma Anode와 좋은 접촉성

참고 자료

없음
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