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GaN의 식각

저작시기 2012.10 |등록일 2014.05.22 한글파일한컴오피스 (hwp) | 10페이지 | 가격 1,800원

목차

Ⅰ. 서론
1. 실험목적

Ⅱ. 본론
1. 실험장비
2. 용어설명
3. 실험방법

Ⅲ. 결론
1. 실험결과
2. 고찰
3. 참고문헌

본문내용

Ⅰ. 서론
1. 실험목적
ICP (Inductive Coupled Plasma)를 이용해 gas의 종류와 gas의 유량의 차이가 GaN의 식각에 어떤 영향을 미치는지 관찰
Ⅱ. 본론
1. 실험장비
(1) ICP(Inductively coupled plasma)
ICP(Inductively Coupled Plasma)는 RF(Radio Frequency)가 흐르는 코일에 의해 유도된 전자장이 결합된 플라스마를 이르는데 플라스마는 이온화된 뜨거운 기체 즉, 아르곤이 약 1% 정도 이온화 되어있고 분석지역의 온도가 약 6000도 가량 되는 뜨거운 기체의 덩어리로 이온 ,전자, 그리고 중성의 입자로 구성된 전기적으로 중성인 기체를 말한다.

<중 략>

적절한 에칭용액을 사용해서 재료를 제거하는 방법을 습식식각(wet rtching)이라고 하며, 이와는 달리 용액을 사용하지 않고 기상(vapor) 상태에서 재료를 제거하는 방법을 건식식각(dry etching)이라고 한다.
습식식각은 본질적으로 등방성식각이며 이로 인해 마스크 아래 부분이 식각되는 언더컷이 유발되며, 이는 습식식각의 가장큰 단점이 되고 있다. 건식식각은 웨이퍼표면에 적절한 마스크를 정렬시키고 기상의 입자가 노출된 부분을 스퍼터링(sputtering) 시키거나, 스퍼터링과 화학반응이 결합된 방법으로 재료를 제거하는 식각방법으로서 이방성식각 특성을 보여 주어 언더컷이 최소화된다.
건식식각은 이온식각과 반응식각으로 크게 구별할 수 있다. 이온식각은 고에너지의 이온들이 재료표면에 충돌할 때 재료표면부의 원자들이 뜯어져 나가는 현상, 즉 스퍼터링현상을 이용한 것으로 화학반응은 최소화되고 물리적반응으로 인해 재료가 식각되는 방법이며, 이온빔식각, 이온빔밀링, 스퍼터식각 등으로 불리기도 한다.

참고 자료

http://blog.naver.com/baekhyunwoo?Redirect=Log&logNo=10033731960
http://www.cyworld.com/85youngmin/2503586
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