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반도체 LED 강의 4강 : LED Fab기술

저작시기 2014.01 |등록일 2014.05.20 | 최종수정일 2017.01.20 파일확장자어도비 PDF (pdf) | 20페이지 | 가격 4,500원

소개글

1장. 반도체 기술
2장. LED 에 대해
3장. LED의 CVD및 Epi기술
4장. LED의 Fab기술
5장. LED의 Package기술
6장. LED Device 와 특성
7장. 특수 LED 응용 및 market trend

목차

1. LED chip의Fab공정의과정(예)
2. LED fab공정순서
3. LED Chip에서의저항인자
4. N, P 전극에따른전류와광출력거동
5. ESD Breakdown
6. p-GaN의Roughening 공정
7. Laser Lift Off 기술
8. Scribing / dicing 기술
9. Vertical LED
10. Flip-chip LED
11. Chip의전기적특성평가
12. Chip의DC test결과(예)
13. Chip의Non-ideal I-V특성
14. LED 소자의Optical Power Properties (Package level)
15. LED의Spectral Properties (Package level)
16. LED의색온도(Color tempaerature)
17. 태양광의색온도

본문내용

Flip-chip LED
Chip Shaping을 통한 광추출 효율 증대 사파이어 배편 roughning을 통한 광추출 효율 증대 Microcavity 설계에 의한 광효율 증가 ; P-GaN 두께 조절 고반사막 기술 확보 (R>90%)
Sapphire 배면 Texturing
Light Extraction Microcavity effect; P-GaN 두께 n-GaN
Sapphire GaN n-GaN p-GaN
Sapphire GaN
반사도 > 90% 목표

참고 자료

없음
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