검색어 입력폼

MOS 소자 형성 및 전기적 성질 확인

저작시기 2012.10 |등록일 2013.05.12 한글파일한글 (hwp) | 8페이지 | 가격 1,500원

목차

1. 실험 목적
2. 이론적 배경
3. 실험방법
4. 결과 data
5. 결과 고찰
6. 참고자료

본문내용

1. 실험 목적
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)소자를 만들고 전기적 성질을 확인한다. 또한 두 가지 물질 와 의 전기적 성질이 어떻게 다른지 확인하고 고찰한다.

2. 이론적 배경
1) High-k
하이케이는 사실 특정 물질을 칭하는 말은 아니다. 어떤 소재가 유지하는 전하량 측정 기준인 유전율(High dielectric constant)이 높다는 뜻을 담고 있다. 쉽게 말해 k값이 높아서 하이케이라고 부르는 것이다. k 값이 높으면 더 많은 전하를 품을 수 있다.
흔히 유전율은 상수값 k로 표시한다. 공기의 경우 상수값 k가 1(진공 상태가 1, 아닐 경우 1.0005)이며 유전체 소재로 주로 쓰던 실리콘 다이옥사이드는 3.9의 유전율 상수값을 가진다. 유전율 상수값 k가 실리콘 다이옥사이드보다 높은 하이케이 소재는 하프늄 다이옥사이드(HfO2), 지르코니움 다이옥사이드(ZrO2), 티타늄 다이옥사이드(TiO2) 등이 대표적이다. 이 물질들은 실리콘 다이옥사이드보다 수 배 이상의 상수 값을 가진다. 유전율이 높다는 뜻은 전력 누출을 더 잘 막는다는 것으로 해석할 수 있다.

<중 략>

(1) spin coating : P.R용액을 시편 위에 떨어뜨려주고 고루 얇게 펴지게 하기 위해 회전을 시켜준다. (1 step: 고루 퍼지게 한다, 2 step: PR 용액의 두께를 조절한다.)
(2) baking : hot plate에 3분동아 올려 놓아 baking을 해준다. (용액상태보다는 고체상태가 관찰이 용이하기 때문에 용매를 날려버리고 PR을 굳게 해준다.)
(3) UV노광 : Photo mask를 위에 대고 UV노광을 한다. (이 때 photo mask는 반대쪽에 Cr코팅이 되어 있다. 코팅된 부분은 거무스르한 빛을 띄는데 이러한 이유는 빛의 회절로 인해 난반사된 빛을 흡수하기 위해서이다. 결과적으로 패턴의 흐트러짐을 방지한다.)
(4) 현상 : KOH가 주성분인 현상액에 2분간 담궈 현상을 한다. 담군 시편을 KOH에 행궈 붙어있는 찌꺼기를 떨어뜨려주고, DI water로 다시 행궈 KOH를 제거해준다. 마지막으로 질소로 물기를 제거한다.

참고 자료

http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1261859&mobile&categoryId=200000458
http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=752108&mobile&categoryId=613
박홍준, 『CMOS 아날로그 집적회로 설계(상)』 제 2판, 시그마프레스, 2010, pp43~49
박성희, 『반도체 공학』, 동일출판사, 2006, pp182~189
민홍석, 『NANOCAD와 함께하는 반도체소자』,대영사, 2005, pp326~336
관계달, 『고체전자공학』 제 6판, 피어슨에듀션코리아, 2005, pp217~221
다운로드 맨위로