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MOS 소자 형성 및 CV 특성 평가

저작시기 2011.05 |등록일 2013.05.12 한글파일한글 (hwp) | 8페이지 | 가격 1,500원

목차

1. 실험 목적
2. 이론적 배경
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
5. 참고자료

본문내용

1. 실험 목적
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)소자를 직접 제작하고, 작동원리를 이해한다.

2. 이론적 배경
1) High-k
하이케이는 사실 특정 물질을 칭하는 말은 아니다. 어떤 소재가 유지하는 전하량 측정 기준인 유전율(High dielectric constant)이 높다는 뜻을 담고 있다. 쉽게 말해 k값이 높아서 하이케이라고 부르는 것이다. k 값이 높으면 더 많은 전하를 품을 수 있다.
흔히 유전율은 상수값 k로 표시한다. 공기의 경우 상수값 k가 1(진공 상태가 1, 아닐 경우 1.0005)이며 유전체 소재로 주로 쓰던 실리콘 다이옥사이드는 3.9의 유전율 상수값을 가진다.유전율 상수값 k가 실리콘 다이옥사이드보다 높은 하이케이 소재는 하프늄 다이옥사이드(HfO2), 지르코니움 다이옥사이드(ZrO2), 티타늄 다이옥사이드(TiO2) 등이 대표적이다.

<중 략>

2) Accumulation 영역의 Capacitance 값으로부터 산화막의 유전율 계산
Capacitance는 다음과 같다.

이 공식에서 유전율의 식을 구할 수 있다.

여기에서 진공유전을의 값은 이다.
그러므로 35nm에서 Accumulation 영역의 산화막 유전율은 다음과 같다.

참고 자료

http://www.brainbox.co.kr/review/view.asp?cmid=75,118,125&csid=1&searchcolumn=&searchstring=&page=1&id=2264&detail_id=23326&from=
http://pltus.net/175
현대화학 7판 - 자유아카데미 Steven S Zumdahl
신소재실험 교안
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