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평가점수F

수광 소자 (Si, Ge & InGaAs PD)의 특성 측정

저작시기 2012.09 |등록일 2013.05.09 워드파일MS 워드 (doc) | 4페이지 | 가격 1,000원

목차

1.Abstract
2.INTRODUCTION
3.EXPERIMENT
4.CONCLUSION
5.REFERENCES

본문내용

다이오드를 구성하는 물질에 따라 조금씩 동작전압의 차이가 있기 때문에 파형의 크기가 Si 다이오드보다 Ge 다이오드 파형이 큰은 것을 볼 수 있다. PD는 빛이 다이오드에 닿으면 전자와 양의 전하 정공이 생겨서 전류가 흐르며, 전압의 크기는 빛의 강도에 거의 비례한다.
INTRODUCTION
광통신용 수광 소자로서는 포토 다이오드(PD : Photo Diode), 아발란체 포토 다이오드(APD : Avalanche Photo Diode)가 적합하다. PD는 반도체의 PN 접합부에 빛을 조사하면 기전력이 발생되는 현상을 이용한 다이오드로서 광전력의 검출을 위해 또는 광전력을 전기력으로 변환하는 경우 등에 이용되고, 역방향의바이어스 또는 개방회로를 사용한다. APD는 광 다이오드(Photo Diode)의 역 바이어스 전압이 아발란체 전압 부근으로 접근함에 따라 전자사태가 발생하여 홈-전자의 쌍(EHP)이 생성되므로 충분한 에너지를 얻게 된다. 실리콘의 PN 접합에 항복 전압에 가까운

참고 자료

Joseph C. Palais, “Fiber Optic Communication”, (Prentice Hall, 5th Edition), pp. 145~162
손영선외 2명, “광통신 공학”, (광문각, 3rd Edition, 2000), pp.247~268
네이버 백과사전, http://terms.naver.com/ entry.nhn?docId=1064966&mobile&categoryId=200000454
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