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12. JFET 특성

저작시기 2012.05 |등록일 2013.05.02 한글파일한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 1,000원

목차

1. 실험 목적
2. 실험소요장비
3. 관련이론
4. PSpice 모의실험

본문내용

1. 실험 목적
JFET 트랜지스터의 출력 특성, 트레인 특성, 그리고 전달 특성을 구한다.
2. 실험소요장비
DMM, 저항(100Ω, 1kΩ, 10kΩ, 3kΩ, 5kΩ, 1MΩ), 직류전원, 2N4416
3. 관련이론
(1) JFET의 구조 및 종류
접합 전계효과 트랜지스터(Junction Field Effect Transistor; JFET)는 채널의 전류를 제어하기 위하여 역 바이어스 되는 접합으로 동작하는 전자소자로서 구조에 따라 n채널 또는 p채널로 나누어진다. 그림 1에 JFET의 두 가지 가능한 구조 및 기호를 도시하였으며 여기서 게이트(G)단은 내부적으로 서로 연결되어 있다.
(2) JFET의 기본동작
그림2 (a)는 JFET의 동작을 이해하기 위해 n채널 JFET에 바이어스 전압을 걸어준 것이다. VDD는 소스(S)에서의 전자들을 끌어당기기 위해 드레인(D)에 양의 전압을 인가한다.
VGG는 게이트와 소스사이에 역방향으로 바이어스 되도록 전압을 인가하며 JFET는 항상 게이트-소스간 pn접합이 역방향으로 바이어스 된다. 음의 게이트 전압을 갖는 게이트-소스간의 역방향 바이어스는 n채널에 공핍영역이 생기게 함으로써 채널의 저항을 증가시킨다.

참고 자료

없음
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