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광검출기

저작시기 2012.10 |등록일 2013.04.25 | 최종수정일 2014.10.21 파워포인트파일MS 파워포인트 (pptx) | 10페이지 | 가격 800원

목차

1. PIN 광다이오드
2. 사태 광다이오드

본문내용

P-N접합 광다이오드 문제점
- 공핍층 밖에서 광 흡수에 의하여 응답도(Responsivity) 감소함
- 확산(Diffusion) 전류성분에 의하여 응답속도(Response Speed) 감소함

1. PIN 광다이오드
PIN 광다이오드의 구조와 동작원리
p영역 + 진성반도체 + n영역
에너지 갭보다 더 큰 에너지를 갖는 빛이 입사되면 대부분 i층에서 흡수되어 전자-정공쌍이 발생
전자와 정공은 공핍층을 이동하여 전류에 기여
공핍층의 정전용량(커패시턴스)

참고 자료

없음
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