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GaN on Si LEDs 기술동향 ppt

저작시기 2013.04 |등록일 2013.04.22 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 19페이지 | 가격 10,000원

소개글

2013년도 까지 GaN on Si LEDs 기술동향 ppt입니다.

목차

1. What is the best substrate for LEDs?
2. Current development
3. GaN on Si
4. Future plane of
5. Summary

본문내용

What is the best substrate for LEDs?
내구성
소자성능
격자 부정합도
열팽창 계수차
가공성
사이즈
가격
에피 강건성
소자 제조비용

<중 략>

경쟁우위 유지
What is the best substrate for LEDs?
*
Low cost
Large available size
High crystal quality
Good thermal conductivity
Potential for simple device processing
Device integration with well-established Si process
What is the best substrate for LEDs?
Why GaN on Si?
Up to 44% more output
42 x 2” sapphire
11 x 4” Silicon
6 x 6” Silicon
GaN on 8” Silicon
Usable area
42 x 2-inch
11 x 4-inch
6 x 6-inch

<중 략>

2. Current Development
GaN/Si LED 칩 상용화 전망
제7회 LED반도체 조명학회 from KOPTI 백종협
3. HT-GaN (melt-back etcing)
HT-GaN/Si 성장시 문제점
Materials Science and Engineering B93 (2002) 77
NOM
TEM
열팽창계수 차이로
인한 crack 발생
Crack 사이로 고온에서 Ga과 Si의 강한 화학적 반응으로 melt-back etching 발생
본 연구에서도 crack으로 인한 Ga과 Si이 서로
반응하여 발생하는 melt-back etching 발생 확인

참고 자료

없음
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