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박막 성장 원리 및 성장 장비 설명 (CVD, MOCVD, APCVD, LPCVD, PCVD, PECVD, ALD)

저작시기 2013.04 |등록일 2013.04.22 파워포인트파일MS 파워포인트 (pptx) | 58페이지 | 가격 5,000원

소개글

CVD 장비의 총체적인 원리 및 박막 성장 이론 정리

목차

1. 박막의 정의
2. CVD란?
3. MOCVD
4. APCVD
5. LPCVD
6. PCVD
7. PECVD
8. ALD (각각의 원리와 이론)

본문내용

박막증착이 왜 필요한가?
The observation that the number of transistors that can be placed on an integrated circuit has doubled every two years.
- Intel 공동 창업자, Gordon Moore (1965年) -

반도체 메모리의 집적도는 1년에 ‘2배’씩 증가한다.
- 前 삼성전자 반도체 부문 사장, 황창규 (2002年) -

박막이란?
박막이란 두께가 단원자층에 상당하는 0.1㎚에서 10㎛ 정도의 두께를 가진 기판상에 만들어진 고체 막으로 정의된다.

결정상태에 따른 박막종류.
결정상태에 따라 막의 고유한 특성들이 달라짐으로, 필요에 따라서 구조를 선택하여 박막성장.

박막 제작하는 이유?
1 박막은 형성과정이 보통의 덩어리 재료(Bulk)와 다르기 때문에, 구조차이에 의한 막 고유의 특성을 보유하게 된다.
2 이러한 특성은 새로운 전기적, 자기적, 광학적 효과를 나타낸다.
3 이러한 현상을 이용하여 전기소자, 집적회로, 광학소자 등 여러 분야에 응용가능.

참고 자료

없음
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