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형광체의 PL 측정

저작시기 2012.09 |등록일 2013.04.15 파워포인트파일MS 파워포인트 (pptx) | 23페이지 | 가격 1,500원

목차

없음

본문내용

실험목적

정의 : 물체의 전자가 들뜬 상태에서 바닥 상태로 이동하면서 에너지 준위차이 만큼의 에너지를 빛으로 내놓는 현상
형광(Fluorescence) : 에너지를 받아 높은 에너지 준위(들뜬 상태)로 올라갔다가 곧 낮은 에너지 준위로 내려오면서 빛을 내는 것
인광(Phosphorescence) : 처음의 들뜬 상태에서 다른 에너지 준위의 들뜬 상태로 이동했다가 내려오는 것

<중 략>

Niobate의 발광
niobate의 발광은 La, Y, Gd, Ca 등에서 나오는 발광X
전자배치가 d0 (closed-shell)인 Nb 이온과 관련된 발광O
산소 2p궤도 전자중의 하나가 Nb5+의 비어있는 4d 궤도함수로 옮겨가는 전하전이 (charge transfer)에 의해 발광

도핑
불순물을 넣는 행위
반도체에 불순물을 많이 첨가할시 전도율이 10억 배 이상 증가
N형 도핑/P형 도핑

N형 도핑
물질에 운반자 역할을 할 전자를 많이 만드는 것
N형 도핑된 물질은 보통 전기적으로 중성을 띤다

P형 도핑
양공을 많이 만들기 위해서
붕소(B) 불순물을 포함하고 있는 파란 다이아몬드(IIb 형)는 자연에 존재하는 P형 반도체의 예

참고 자료

http://www.cyworld.com/bleulight/3439011
http://blog.samsungdisplay.com/93
http://blog.naver.com/tripostech?Redirect=Log&logNo=140099892509
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