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PN 접합 정전기학

저작시기 2012.01 |등록일 2013.04.13 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 15페이지 | 가격 700원

목차

PN 접합에 대한 수학적 기술

PN 접합에 대한 물리적 특징

전이영역(transition region)

Forward bias 와 Reverse bias 에 대한 PN 접합

본문내용

이상화된 도핑분포상태

- 계단형 접합은 이온주입이나 조금 도핑된 초기 웨이퍼로의 얕은 확산에 만족스럽게 근사화 되는 반면에, 선형적 경사형 분포상태는 많이 도핑된 초기 웨이퍼로의 깊은 확산에 더욱 적합할 것이다.

Poisson 방정식
Ks : 반도체 유전상수
∈0: 진공에서의 유전율
도펀트가 종합적으로 이온화 된다는 가정 하에 반도체내에서 전하밀도
전하밀도는 평형에서 균일하게 도핑된 반도체내의 어떤 표면에서부터 멀리 떨어져서 0이다.

<중 략>

평형상태에서는 이 접합부를 가로질러서 실질적인 전류는 하나도 흐를 수 없음을 알고 있으므로, 전계에서의 캐리어의 표동에 의한 전류는 정확하게 확산전류를 소거하여야 한다. - 시간의 함수로서 어느 쪽에서나 전자 또는 정공의 실질적인 증대가 있을 수 없기 때문에 표동 및 확산전류는 캐리어의 각각 형태의 것에 대하여 서로 소거되어야 한다. Jp (표동) + Jp (확산) = 0 Jn (표동) + Jn (확산) = 0

참고 자료

없음
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