검색어 입력폼

서강대학교 고급전자회로실험 3주차 결과보고서

저작시기 2012.09 |등록일 2013.04.12 한글파일한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 600원

소개글

고급전자회로실험 과목의 보고서입니다.
많은 시간을 투자하여 작성하였으며, 회로에 대한 분석이 잘 되어 있다고 자신합니다.
공부에 도움이 되길 바랍니다.

목차

1. 실험결과
2. 고찰사항
3. 참고문헌

본문내용

1. 실험 결과
실험 1.1
[1.1] Vx = 6 V 로 고정하고, RREF를 가변저항을 이용하여 50 ~ 450 Ω 으로 변화시키면서 IREF 를
측정하라. IREF = 20 mA(± 2mA)가 되는 RREF값은 얼마인가? 이 때 게이트 전압 VbG는 얼마인가?

<중 략>

2. 고찰 사항
1.1 정전류원의 기능은 무엇이고, 실험회로 1이 정전류원 역할을 하고 있는지 설명하라.
Current Source는 전압과 저항에 상관없이 항상 같은 전류를 공급할 수 있는 전원이다. 실험회로 1에서 mosfet nM2가 포화영역에서 동작한다고 하면 채널변조효과를 무시할 때 , 출력단의 전압인 Vx의 변화와 상관없이 Vov에 의해서만 전류가 결정된다. 따라서 실험회로 1의 출력단에서는 다른 외부 회로에 상관없이 항상 일정한 전류가 흐르게 되므로 정전류원이라고 할 수 있다.

1.2 실험회로2에서 입력 공통 모드 범위가 어떻게 결정되는지 설명하라.
실험회로 2가 제대로 동작하기 위해서는 모든 mosfet이 포화영역에서 동작하여야 한다. nM1, nM2가 포화영역에서 동작하기 위해서는 VDS>VGS-Vt 이어야 한다. 따라서 VDG>-Vt 이어야 하는데, VDG=VD1-Vin이므로 입력공통모드 범위의 최대값은 Vt+VDD-IRD/2이다. 정전류원의 역할을 하기 위해서 nM3,4 도 포화영역에서 동작하여야 한다. nM3,4가 포화영역에서 동작하기 위한 최소한의 VDS 전압을 VCS 라고 하면, Vin=VCS+VGS 이다. 즉 Vin 의 최소값은 VCS+VGS 이다.

참고 자료

Sedra, "Microelectronic Circuits", Oxford Univ. Press, 2011, 6th edition p.393-395. p.503-505. p.571-573
다운로드 맨위로