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서강대학교 고급전자회로실험 1주차 결과보고서

저작시기 2012.09 |등록일 2013.04.12 한글파일한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 600원

소개글

고급전자회로실험 과목의 보고서입니다.
많은 시간을 투자하여 작성하였으며, 회로에 대한 분석이 잘 되어 있다고 자신합니다.
공부에 도움이 되길 바랍니다.

목차

1. 실험결과
2. 고찰사항
3. 참고문헌

본문내용

1. 실험 결과
실험 1.1
[1.1] VDS = 3 V로 고정한 후, VGS를 1.3 V에서 2.1 V까지 0.1 V씩 증가시키면서, 드레인 전류 IDS를
측정하여 표 1-1에 기록하고 그림 1-1에 그래프로 그려라. 이 측정에서 알 수 있는 이 nMOSFET의
threshold voltage Vthn은 대략 얼마인가?

<중 략>

위 그림과 같이 가장 Linear 하고 입력()에 대한 출력()의 변동이 가장 큰 구간인 Saturation 영역이다.
1.3 실험 회로2를 다이오드라고 할 수 있는 이유를 측정결과를 바탕으로 설명하시오.

다이오드의 특성은 결국 Built in Potential 보다 큰 전위차가 Forward Bias로 걸리게 되면 전류를 흐르게 한다는 것이다. 1-3의 그래프를 살펴보면 가 를 넘겼을 경우 전류가 흐르는 것을 알 수 있다. 또한 Reverse 전압을 걸었을 때 전류가 흐르지 않는다. 소스에 드레인보다 높은 전압을 걸어주었을 때 가 (-)값을 갖는다. 회로에서 이므로 역시 (-)값을 갖게되어 전류가 흐르지 않게 된다. 따라서 다이오드의 특성을 띈다고 볼 수 있다. 3)

참고 자료

Microelectronic Circuits, Sedra, Oxford Univ. Press, 2011, 6th edition, p.156~164 p.355~414
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