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LPE, VPE, MBE 장비

저작시기 2013.02 |등록일 2013.04.12 한글파일한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 500원

목차

1. 액상 에피택시(LPE:Liquid Phase Epitaxy)
2. 기상에피택시(VPE:Vapor-Phase Epitaxy)
3. 분자 빔 에피택시(MBE:Molecular Beam Epitaxy)

본문내용

액상 에피택시(LPE:Liquid Phase Epitaxy)
LPE법은 많은 반도체 결정들을 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 성장시킬 수 있는 기술이다. 반도체와 제 2원소의 혼합물은 그 반도체 자체보다 낮은 온도에서 녹기도 하기 때문에, 이러한 혼합물 용액으로부터 결정을 성장시키는 것이 유리한 경우가 종종 있다. 예를 들어 GaAs 용융점은 1238℃이나 금속 Ga와 GaAs의 혼합물은 상당히 낮은 용융점을 갖는다. 따라서 GaAs 시드 결정을 그것 자체가 용융되는 온도보다 낮은 온도에서 녹는 Ga+GaAs 용액 속에 담가둔 후, 이 용액을 용융점(Melting Point)으로부터

<중 략>

기상에피택시(VPE:Vapor-Phase Epitaxy)
웨이퍼 제조공정에서 에피택셜 성장에 가장 많이 이용되는 방법은 CVD의 일종인 기상 에피택시이다. 실리콘 VPE는 800℃에서 1500℃로 가열되는 단 결정 실리콘 웨이퍼에 원하는 화학물질의 가스 혼합물을 통과시킴으로써 구성된다. 고온의 열 에너지는 웨이퍼의 표면에서 발생되는 화학반응을 구동하는데 필요한 에너지를 제공한다. 이런 공정은 아래 그림과 같이 나타나 있다.

참고 자료

없음
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