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서강대학교 전자회로I 설계 MOSFET을이용한Amplifier

저작시기 2012.06 |등록일 2013.04.12 | 최종수정일 2014.01.03 한글파일한글 (hwp) | 13페이지 | 가격 2,500원

소개글

전자회로 과목의 MOSFET을 이용한 증폭기설계입니다.
공부에 많은 도움되길 바랍니다.

목차

1. 제목
2. 목적
3. 목표및기준설정
4. 합성및분석
5. 시험및평가
6. 논의사항
7. 참고문헌

본문내용

1. 제목 : MOSFET을 이용한 amplifier 설계

2. 목적 : MOSFET을 이용하여 Common-Source, Common-Gate, Source-Follower amplifier의 이해하고 이를 응용하여 amplifier를 설계한다.

3. 목표 및 기준 설정
1) DC gain : 40dB 이상
2) 3-dB BW : 3MHz 이상
3) Power Consumption : 최소화
4) MOS에서 W<1000um
5) 100kΩ 이하 저항 사용
6) 각 부품에 흐르는 전류 0.1A넘지 않게 설계
7) 구성 부품수 최소화한 설계
8) MOS와 저항에 ±10% 오차 가정시 위 규격 구현되도록 설계

설계에서 사용되는 NMOS의 Model Parameter는 다음과 같다.

.model NMOS NMOS(Level=1 VTO=0.7 GAMMA=0.5 PHI=0.8 LD=0.08E-06
+ UO=460 LAMBDA=0.1 TOX=9.5E-9 PB=0.9 CJ=0.57E-3 CJSW=0.12E-9
+ MJ=0.5 MJSW=0.4 CGDO=0.4E-9 JS=10E-9 CGBO=0.38E-9 CGSO=0.4E-9)

또한, 회로 구현시 VDD= 3.3V, VSS= 0V, load capacitor Cload= 0.5pF를 사용한다.

참고 자료

Microelectronic circuits, Sedra, Oxford University press, 2004, 6th Edition
Solid State Electronic Devices, Streetman, Pearson Education, 2003, 6th Edition
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