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ISSpice 실험 레포트 PN접합 다이오드

저작시기 2013.03 |등록일 2013.03.30 워드파일MS 워드 (docx) | 14페이지 | 가격 1,500원

소개글

pn접합다이오드 Isspice 실험 리포드입니다

목차

1. 제목
2. 목적
3. 이론
4. 실험내용
5. 고찰 및 실험 소감

본문내용

1. 제목: PN접합 다이오드 특성 고찰
2. 목적: PN접합 다이오드를 ISSPice에서 설정해보면서 PN접합의 특성을 알아본다
PN 접합 다이오드인 실리콘 다이오드의 순*역방향 전류/전압 특성 조사
3. 이론: PN접합은 p형 반도체와 n형 반도체의 접합인데 p나 n 물질은 이온 주입이나 확산과 같은 도핑 과정에 의해 생성되는 것이며 p형(양성)은 진성 실리콘에 붕소와 같은 불순물을 주입하여 만든 것이고 n형(음성)은 진성 실리콘에 인과 같은 불순물을 주입하여 만든 것이다.
다이오드에서 p영역은 애노드라고 하고 n영역은 캐소드라 한다. n형의 다수 캐리어는 전자이고
p형의 다수 캐리어는 정공인데 전자는 n에서 p로 정공은 p에서 n으로 접합면을 통해 이동한다
접합 근처에서 정공과 재결합을 하게 된다. 이러한 재결합의 결과로, 많은 수의 음이온과 양이온이 pn 접합 근처에 생기므로 n 영역의 전자들이 p 영역으로 이동하기 위해서는 양이온의 당기는 힘과 음이온의 미는 힘을 극복하여야 한다. 결국 이온층이 형성됨에 따라 접합 양쪽에서는 전자와 정공이 존재하지 않는 공핍층이 발생하게 된다. 이러한 공핍층을 사이에 두고 전위장벽(Barrier potential)을 만든다. 전위장벽 VB 는 전자가 공핍층을 건너가기 위해서 전위장벽에 의해 발생되는 전계의 힘을 극복해야 하는 전압이다.

<중 략>

7. 그림 3-14와 같은 결과가 나오도록 그림 3-3의 회로도를 이용하여 시뮬레이션 조건을 결정하고 시뮬레이션 결과를 기록하시오.
3.14의 그림에서는 -70V 근처에서 갑자기 내려가는 breakdown 현상이 있고 0근처에서 turnon 되는 현상이있다
그러므로 DC Source Sweep Analysis의 Outer에 Start를 -70 End를 +1 로 맞추어 시뮬레이션하면 다음 그래프가 나오게 된다/
5. 고찰 및 실험 소감
1번 문제 전압과 다이오드를 같은조건으로 두고 저항만 바꾸며 어떻게 되나 측정하는 것 이었는데 저항을 바꿀바꿀 때 기울기가 바뀌는 것을 알 수있엇다. 여러 그래프를 한번에 나타내는 방법을 알게되서 다행이었다

참고 자료

없음
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